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Transistor di potenza
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Articolo
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -60V; -6,46A; 13,6W
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-SQA411CEJW-T1-GE3
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQA411CEJW-T1_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore:
VISHAY
Montaggio:
SMD
Tensione drenaggio-fonte:
-60V
Corrente di drenaggio:
-6,46A
Resistenza nello stato di conduzione:
326,1mΩ
Tipo del transistor:
P-MOSFET
Potenza dissipata:
13,6W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
15,5nC
Tecnologia:
TrenchFET®
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
Corrente di drain pulsata:
-20A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo P
>
Transistori con canale P SMD
Altri termini di ricerca:
transistor di potenza
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