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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 100V; 6,5A; 9W; PowerPAK® SO8


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SQJB70EP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJB70EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 6,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 95mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 9W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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