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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolare; 600V; 12,6A; 35W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolare; 600V; 12,6A; 35W
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolare; 600V; 12,6A; 35W
N. Articolo:
     5068-STF26NM60N
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STF26NM60N
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 12,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 135mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: MDmesh™ ||
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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