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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolare; 600V; 7A; Idm: 44A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STP13N60M2
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP13N60M2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 7A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,38Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 110W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 17nC
Tecnologia: MDmesh™ M2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 44A
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