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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolare; 600V; 6,93A; Idm: 44A
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-STP13NM60ND
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STP13NM60ND
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
STMicroelectronics
Montaggio:
THT
Corpo:
TO220-3
Tensione drenaggio-fonte:
600V
Corrente di drenaggio:
6,93A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,38Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
109W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
tubo
Carico della porta:
24,5nC
Tecnologia:
FDmesh™ II
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±25V
Corrente di drain pulsata:
44A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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Simile
MOSFET Infineon, 11 A, PG-TO220, SMD
Infineon
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