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Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolare; 100V; 110A; 250W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STP150N10F7
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP150N10F7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 110A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,2mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 250W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 117nC
Tecnologia: STripFET™ F7
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 440A
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