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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolare; 600V; 16A; Idm: 70A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STP35N60M2-EP
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP35N60M2-EP
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 16A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,13Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 190W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 41nC
Tecnologia: MDmesh™ M2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 70A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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