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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 3,8A; 110W; TO220-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 3,8A; 110W; TO220-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 3,8A; 110W; TO220-3
N. Articolo:
     5068-STP6NK60Z
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP6NK60Z
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 3,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,2Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 110W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Tecnologia: SuperMesh™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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