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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolare; 600V; 29A; Idm: 140A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STW65N60DM6
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW65N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 29A
Resistenza nello stato di conduzione: 71mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 368W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 65,2nC
Tecnologia: MDmesh™ DM6
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 140A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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