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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolare; 650V; 18A; Idm: 112A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STWA30N65DM6AG
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STWA30N65DM6AG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 18A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,11Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 284W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 46nC
Tecnologia: MDmesh™ DM6
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 112A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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