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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolare; 650V; 38A; Idm: 240A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STWA65N65DM2AG
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STWA65N65DM2AG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 38A
Resistenza nello stato di conduzione: 50mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 446W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 0,12µC
Tecnologia: MDmesh™ DM2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 240A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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