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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-TN0110N3-G-P002
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     TN0110N3-G-P002
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: THT
Corpo: TO92
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 0,35A
Resistenza nello stato di conduzione: 3Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 2A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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