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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 111A; 156W; TO220AB


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-TSM060NB06LCZ-C0G
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM060NB06LCZ C0G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 111A
Resistenza nello stato di conduzione: 6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 156W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 107nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Riepilogo condizioni1
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