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IGBT, 1.2kV, 90A, TO-247AD


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     7ZX53-30253449
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYH50N120C3D1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXYH50N120C3D1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=3.5 V, Corrente di collettore continua (Ic)=90 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA, Dissipazione di potenza (Pd)=625 W, Pin=3, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Temperatura di esercizio, min.=-55 °C, Temperatura riflusso max.=260 °C, Tensione gate-emettitore (Vge)=20 V, Tensione tra il collettore e l'emettitore (Vceo)=1.2 kV, Confezione=Tubetto, Configurazione=Singola, Tipo di montaggio=Passante, Tipo di pacchetto=TO-247AD
Altre informazioni:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Origine:
PH
Codice doganale:
8541100000
Altezza:
10 mm
Peso netto:
2 g
Profondità:
45 mm
Peso lordo:
2 g
Larghezza:
16 mm
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, IGBT
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Stato della confezione:Confezione originale aperta, senza danni
Stato della merce:non usato
Spese per la spedizione di restituzione:a carico del cliente
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MGJ3T12150505MC-R7
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