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ONSEMI FDC602P MOSFET, P, SMD, SSOT-6


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N. Articolo:
     8585-1495223
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDC602P
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Stile di Case del Transistor SuperSOT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.6 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 900 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.035 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 5.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDC602P, 1495223, 149-5223
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