Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-1495263 N. Art. Produtt.:
FDD4685 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.023 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 32 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 69 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDD4685, 1495263, 149-5263 |
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