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ONSEMI SI4435DY TRANSISTOR, MOSFET


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N. Articolo:
     8585-1653655
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     SI4435DY
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.015 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8.8 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, SI4435DY, 1653655, 165-3655
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