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ONSEMI FDD13AN06A0 MOSFET, CANALE N, 60V, 50A, DPAK


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N. Articolo:
     8585-1700666
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDD13AN06A0
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0115 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252AA Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 115 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDD13AN06A0, 1700666, 170-0666
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