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NEXPERIA PMV65XP,215 MOSFET, CANALE P, -20V,-4.3A, SOT-23
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-1758119
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
PMV65XP,215
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.058 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 4.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 833 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 750 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
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(FET)
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Transistori
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NEXPERIA
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PMV65XP,215
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1758119
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175-8119
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