Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-1775469 N. Art. Produtt.:
BSC123N08NS3GATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0103 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 55 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PG-TDSON Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 66 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, BSC123N08NS3GATMA1, 1775469, 177-5469 |
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