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ONSEMI FDMC6679AZ MOSFET, CANALE P, 30V, 20A, MLP 3.3X3.3


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N. Articolo:
     8585-2083251
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMC6679AZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0086 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MLP Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 41 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDMC6679AZ, 2083251, 208-3251
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