Categorie
Account
Accedi / Registrati
Carrello
 
 

STMICROELECTRONICS STI24NM60N Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
N. Articolo:
     8585-2098262
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STI24NM60N
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.168 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 17 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-262 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STI24NM60N, 2098262, 209-8262
Riepilogo condizioni1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
In magazzino In magazzino
a partire da € 1,39*
  
Il prezzo è valido a partire da 10.000 pezzi
Scegli condizioni
Consiglia articoloAggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi progressivi
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
1 pezzo
€ 2,95*
€ 3,599
per pezzo
a partire da 10 pezzi
€ 2,19*
€ 2,6718
per pezzo
a partire da 20 pezzi
€ 2,16*
€ 2,6352
per pezzo
a partire da 50 pezzi
€ 2,04*
€ 2,4888
per pezzo
a partire da 100 pezzi
€ 1,63*
€ 1,9886
per pezzo
a partire da 10000 pezzi
€ 1,39*
€ 1,6958
per pezzo
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217