VISHAY SI4816BDY-T1-GE3 MOSFET, 2 CANALI N, 30V, 8SOIC

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.8 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5.8 A Resistenza RdsON canale N 0.0155 ohm Tipo di canale canale N + Schottky Resistenza RdsON canale P 0.0155 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.25 W Dissipazione di potenza canale P 1.25 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)