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NEXPERIA PSMN4R2-60PLQ MOSFET, CANALE N, 60V, 130A, TO-220


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N. Articolo:
     8585-2311247
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN4R2-60PLQ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00317 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 130 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 263 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, NEXPERIA, PSMN4R2-60PLQ, 2311247, 231-1247
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