NEXPERIA PMV65XP,215 MOSFET, CANALE P, -20V,-4.3A, SOT-23

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.058 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 4.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 833 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 650 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)