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Articolo
VISHAY SI4816BDY-T1-E3 MOSFET, DUAL CAN-N, 30V, 5.8A, NSOIC-8
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2547314
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI4816BDY-T1-E3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.8 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5.8 A Resistenza RdsON canale N 0.0093 ohm Tipo di canale canale N + Schottky Resistenza RdsON canale P 0.0093 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.25 W Dissipazione di potenza canale P 1.25 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
,
Discreti
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Doppi
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Semiconduttori
,
Transistori
,
VISHAY
,
SI4816BDY-T1-E3
,
2547314
,
254-7314
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