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STMICROELECTRONICS STFH10N60M2 MOSFET, CA-N, 600V 7.5A, TO-220FP-3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2602653
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STFH10N60M2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.55 ohm Gamma di prodotti MDmesh, M2 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STFH10N60M2, 2602653, 260-2653
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