VISHAY SI3459BDV-T1-GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.18 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSOP Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 3.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)