Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-2646376 N. Art. Produtt.: SI3459BDV-T1-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.18 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSOP Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 3.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, MOSFET, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SI3459BDV-T1-GE3, 2646376, 264-6376 |
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