VISHAY SI7850DP-T1-GE3 MOSFET CANALE N 60V, 6,2A, POWERPAK SO

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.018 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 6.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 1.8 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)