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ROHM RSS065N06FRATB MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, SOP


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N. Articolo:
     8585-2706676
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSS065N06FRATB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.024 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 6.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RSS065N06FRATB, 2706676, 270-6676
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