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INFINEON IRL6372TRPBF MOSFET, DOPPIO CA-N, 30V, 8,1A, SOIC-8
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pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2726002
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRL6372TRPBF
EAN/GTIN:
n.d.
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Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Gamma di prodotti HEXFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 8.1 A Resistenza RdsON canale N 0.014 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.014 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 8.1 A
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Doppi
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Discreti
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Doppi
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Effetto
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Semiconduttori
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INFINEON
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IRL6372TRPBF
,
2726002
,
272-6002
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