ONSEMI NTTFS4C02NTAG MOSFET, CA-N, 30V, 170A, WDFN-8

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 170 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor WDFN Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 91 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)