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INFINEON IRL520NSTRLPBF MOSFET, CA-N, 100V, 10A, TO-263AB


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N. Articolo:
     8585-2781151
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRL520NSTRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.18 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263AB Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 48 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IRL520NSTRLPBF, 2781151, 278-1151
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