ONSEMI FCP190N65S3R0 MOSFET, CA-N, 650V, 17A, TO-220

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.159 ohm Gamma di prodotti SuperFET III Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 17 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 144 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)