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ONSEMI NTMFS6H800NT1G MOSFET, CA-N, 80V, 203A, DFN-5


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N. Articolo:
     8585-2835595
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTMFS6H800NT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0018 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 5 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 203 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 200 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NTMFS6H800NT1G, 2835595, 283-5595
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