Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2839489 N. Art. Produtt.:
IRFR1010ZTRPBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0058 ohm Gamma di prodotti HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 42 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 55 V Dissipazione di potenza 140 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor a effetto di campo, FET di giunzione, Transistor, MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Diodo SMD, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, diodo smd, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, IRFR1010ZTRPBF, 2839489, 283-9489 |
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