Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2945157 N. Art. Produtt.:
PMPB20XPEAX EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 7.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-1220 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 12.5 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB20XPEAX, 2945157, 294-5157 |
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