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ONSEMI NCV8402ASTT1G MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 42V, 2A, SOT-223


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N. Articolo:
     8585-2985526
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NCV8402ASTT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.165 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 42 V Dissipazione di potenza 1.1 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, NCV8402ASTT1G, 2985526, 298-5526
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