ONSEMI FCMT199N60 MOSFET, CANALE N, 20,2A, 600V, PQFN

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.17 ohm Gamma di prodotti SuperFET II Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PQFN Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 208 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)