VISHAY SIDR608DP-T1-RE3 MOSFET, CAN-N, 45V, 208A, 150°C, 104W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.001 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 208 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 45 V Dissipazione di potenza 104 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised