NEXPERIA PMV164ENEAR MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 60V, 1.6A, 0.64W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.164 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.6 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 640 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)