STMICROELECTRONICS STD110N8F6 MOSFET, CANALE N, 80V, 80A, 175°C, 167W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0056 ohm Gamma di prodotti STripFET F6 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 167 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)