Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3132746 N. Art. Produtt.:
STH275N8F7-6AG EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0017 ohm Gamma di prodotti STripFET F7 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 180 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor H2PAK-6 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 315 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STH275N8F7-6AG, 3132746, 313-2746 |
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