ROHM RQ6E045RPTR MOSFET, CANALE P, -30V, -4.5A, 150°C

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.025 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 4.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-457T Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)