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VISHAY SIHP186N60EF-GE3 MOSFET, 600V, 18A, 150°C, 156W


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N. Articolo:
     8585-3253837
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHP186N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.168 ohm Gamma di prodotti EF Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 18 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 156 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIHP186N60EF-GE3, 3253837, 325-3837
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