NEXPERIA PMV19XNEAR MOSFET, AEC-Q101, CAN-N, 30V, 6A, 0.61W

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 6 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-236AB Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 610 mW Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 650 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)