Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3287983 N. Art. Produtt.:
PMPB100XPEAX EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.95 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3.2 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor DFN2020MD |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, PMPB100XPEAX, 3287983, 328-7983 |
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