ONSEMI FCD2250N80Z MOSFET, CAN N, 800V, 2.6A, 150°C, 39W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.87 ohm Gamma di prodotti SuperFET II Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 39 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)