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ONSEMI FDB060AN08A0 MOSFET, CAN N, 75V, 80A, 175°C, 255W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3368722
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDB060AN08A0
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0048 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 75 V Dissipazione di potenza 255 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDB060AN08A0, 3368722, 336-8722
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