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ONSEMI FDD86369-F085 MOSFET, N-CH, 80V, 90A, 175DEG C, 150W


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N. Articolo:
     8585-3368738
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDD86369-F085
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0059 ohm Gamma di prodotti PowerTrench Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 90 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, FDD86369-F085, 3368738, 336-8738
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